Согласно отчёту Ассоциации полупроводниковой промышленности (SIA), объём мировых продаж полупроводниковых чипов в 2024 году, как ожидается, вырастет на 19,1% и достигнет 627,6 млрд долларов США, при этом в 2025 году прогнозируется двузначный рост.

SIA сообщает, что 2024 год установил новый рекорд: совокупные расходы в 2023 году достигли 526,8 млрд долларов. В интервью изданию GamesBeat генеральный директор торговой ассоциации полупроводниковой отрасли SIA Джон Нёффер объяснил этот рост чрезвычайным спросом на процессоры и память для искусственного интеллекта.

Грег Ларокка, директор по рыночным исследованиям и экономической политике в SIA, в интервью заявил, что к 2025 году объём продаж полупроводников, как ожидается, вырастет на 11,2%. Это имеет важное значение для экономики, поскольку микросхемы являются ключевым компонентом всей электронной продукции и жизненно важным звеном технологической цепочки поставок.

Источник: Semiconductor Industry Watch

Компания TSMC недавно объявила о планах построить в городе Тайнань на Тайване передовой завод по производству полупроводников с технологическим процессом 1 нанометр, оснащённый самыми современными технологиями на узле 1 нм. Расположенный в районе Шалун на юге Тайнаня, этот объект, как ожидается, превратится в крупномасштабный центр производства пластин.

Согласно сообщениям, вновь построенный завод Fab 25 будет ориентирован на выпуск 12‑дюймовых пластин и рассчитан на размещение шести производственных линий. TSMC направила соответствующие планы в администрацию Южного научного парка и раскрыла предварительную конфигурацию линий. Ожидается, что линии P1–P3 завода Fab 25 будут оснащены технологией 1,4 нанометра, тогда как линии P4–P6 — более передовой технологией 1 нанометр.

Источник: Чжунгуаньцунь Онлайн

Компания HeYuan Gas объявила, что недавно получила патент на изобретение под названием «Устройство и процесс получения хлористого водорода сверхвысокой чистоты для полупроводниковых применений». Данный патент предусматривает использование комбинации полимерных пермеационных мембран, катионитовых смол на основе металлов, обезвоживания с использованием соединений редкоземельных металлов и дистилляции под высоким давлением, что позволяет снизить содержание примесей CO2 в продукте до уровня ниже 0,1 ppm и содержание ионов металлов — до уровня ниже 10 ppt. Хотя приобретение этого патента, как ожидается, не окажет существенного влияния на производство, операционную деятельность или финансовые показатели компании, оно укрепит технологические резервы и потенциал компании в сфере электронных специальных газов, тем самым обеспечив техническую поддержку её дальнейшего развития в данной области.

Источник: Хэюань Газ

Согласно официальному сообщению на платформе WeChat компании Sinochem Lantian: «Sinochem Lantian уверенно начала Год Змеи — её проект по производству перфторалкенов мощностью 1 000 тонн в год в городе Чэньчжоу уже введён в эксплуатацию, что, как ожидается, поможет ускорить переход к самодостаточности и контролю над цепочкой поставок электронных материалов в Китае». В сообщении также отмечается: «С вводом в строй установки мощностью 1 000 тонн годовая производственная мощность Sinochem Lantian по перфторалкенам достигла 1 200 тонн».
 

Согласно отчёту об оценке воздействия на окружающую среду по проекту производства перфторалкенов мощностью 1 000 тонн в год, подготовленному Чэньчжоуским муниципальным управлением по экологии и опубликованному компанией Sinochem Lantian Electronic Materials (Чэньчжоу) Co., Ltd., основным продуктом данного проекта является гексафторбутадиен.

Согласно данным опроса, проведённого компанией Longzhong Information, после ввода в эксплуатацию производства гексафторбутадиена предприятия Sinochem Lantian станет крупнейшим единым производственным комплексом в Китае, удвоив совокупную мощность по выпуску этого продукта в стране до 2 100 тонн в год. Данное событие ещё более изменит глобальную структуру предложения на этом рынке, укрепит независимые возможности Китая в производстве высокотехнологичных фторсодержащих электронных материалов и послужит мощным импульсом для качественного развития китайского сектора материалов для электронной информационной отрасли.

Источник: Синьчжоу Ланьтянь, Бюро по экологии города Чэньчжоу

24 января компания Jiangsu Hongren Special Gases Co., Ltd. опубликовала публичное уведомление о принятии документов по оценке воздействия на окружающую среду в отношении проекта по производству высокочистых специальных электронных газов.

По завершении проекта предприятие будет обладать годовой производственной мощностью 116 000 тонн высокочистого электронного жидкого кислорода, 74 000 тонн электронного газообразного кислорода, 182 000 тонн высокочистого электронного жидкого азота, 248 000 тонн электронного газообразного азота, 8 640 тонн высокочистого электронного жидкого аргона, 1 514 нм³ высокочистого криптона и 498 нм³ высокочистого ксенона. Часть производимых кислорода и азота электронного сорта в соответствии с рыночным спросом может быть направлена на рынки медицинского кислорода и пищевого азота. Кроме того, предприятие будет располагать годовой мощностью по розливу 6 491 нм³ высокочистого гелия и 1 803 нм³ высокочистого неона, поддерживаемой вспомогательной инфраструктурой для хранения и розлива жидких газов, а также операциями по розливу газов.

Источник информации: Бюро по экологической среде Зоны экономического развития Наньтуна

Недавно проект по производству силанового газа — сырья для нового типа нано‑кремниево‑углеродного анодного материала мощностью 5 000 тонн в год, реализуемый Непосредственным проектным отделом Хуайбэя компании China National Chemical Engineering Third Construction Co., Ltd., успешно прошёл приёмку на этапе завершения строительства и официально введён в эксплуатацию. Это ознаменовало успешное завершение проекта, добавив ещё одну важную веху в портфеле China National Chemical Engineering Third Construction в сфере разработки химических инженерных проектов и придав значительный импульс развитию химической отрасли в районе Хуайбэй провинции Аньхой.

Проект по производству силанового газа компании «Аньхой Чжаньвэй» является крупным промышленным предприятием, имеющим важное стратегическое значение. При значительном общем объёме инвестиций проект нацелен на удовлетворение растущего рыночного спроса на силановый газ и стимулирование развития высокотехнологичных отраслей, таких как полупроводниковая и фотоэлектрическая промышленность. Проект включает сложные производственные мощности, соответствующую инфраструктуру и передовые технологические системы. После завершения реализации он станет образцовой производственной базой в своей отрасли, окажет существенное влияние на повышение региональной промышленной конкурентоспособности и содействие высококачественному экономическому развитию.

Источник информации: Онлайн-издание «Жэньминь жибао» — канал Аньхой

5 февраля 2025 года Чжухайская зона экономического и технологического развития (далее — «Чжухайская ЗЭТР») провела церемонию централизованного закладки фундамента ключевых проектов первого квартала 2025 года в нефтехимической промышленной зоне.

Примечательно, что проект по производству специальных электронных газов — силил‑гексафторид Lihua — предполагает общие инвестиции в размере 1,1 млрд юаней и предусматривает создание в зоне экономического развития производственной линии по выпуску электронных материалов мощностью 10 тыс. тонн в год. После ввода в эксплуатацию проект ожидается ежегодный объём производства на уровне 2,2 млрд юаней, что позволит восполнить провинциальный дефицит производственных мощностей по выпуску силил‑гексафторида электронного класса. В свою очередь, проект по производству чиповых материалов компании Zhichengyuan Technology уже давно сосредоточен на передовых технологиях упаковки полупроводниковых чипов, изготовлении подложечных плат и разработке поверхностной обработки функциональных мокрых электронных материалов, стремясь закрыть внутренний пробел в сфере высокотехнологичных гальванических покрытий — ключевого звена отраслевой цепочки. По завершении строительства база по развитию новых поколений продукции в области электронной химии в Чжухае станет первой в стране промышленной платформой для производства высококачественных электронных химикатов, что ускорит исследования и разработки, а также индустриализацию продуктов следующего поколения в этой сфере.

Источник информации: Южная Метрополис Дэйли

7 февраля компания JinHong Gases успешно провела церемонию подписания соглашения об акционерном партнёрстве с CHEM‑GAS. Председатель совета директоров CHEM‑GAS Тан Фухуа и председатель правления и генеральный директор JinHong Gases Цзинь Сянхуа, совместно со своими руководящими командами, приняли участие в мероприятии, отметив этот исторический этап и вместе открыв новую главу в глобальной экспансии.

Это приобретение позволит компании выйти на рынок Юго‑Восточной Азии, используя экономический динамизм и рыночный потенциал региона для ускоренного роста бизнеса и диверсификации своего присутствия. В то же время, интегрируя физические активы CHEM‑GAS с глобальными возможностями управления капиталом компании JinHong Gas, компания создаст модель двойного двигателя роста — «реальный сектор плюс глобальное распределение капитала» — чтобы оптимизировать распределение ресурсов, повысить операционную эффективность и укрепить конкурентоспособность. Данное решение означает не только расширение масштабов, но и важную веху в стратегической трансформации и модернизации компании, знаменуя её выход на новый этап глобального развития.

Источник: Джинхун Газес

Согласно сведениям Китайского национального управления по интеллектуальной собственности, компании «Бэйцзин Бэйфан Хуачэн Микроэлектронные Оборудования» был выдан патент под названием «Оборудование для полупроводниковых процессов», номер публикации о выдаче — CN 222349122 U, дата подачи заявки — февраль 2024 года.

Аннотация к патенту раскрывает полупроводниковое технологическое устройство, включающее камеру, блок распределения воздуха, поворотный двигатель, передаточную сборку и несколько подъёмных узлов. Подъёмные узлы расположены по окружности вокруг камеры с равными интервалами; каждый из них соединён с блоком распределения воздуха и через передаточную сборку механически связан с поворотным двигателем, так что поворотный двигатель приводит подъёмные узлы в движение посредством передаточной сборки, обеспечивая вертикальное перемещение блока распределения воздуха относительно камеры. Данное полупроводниковое технологическое устройство решает проблему существующего оборудования, при котором блок распределения воздуха во время своего вертикального перемещения склонен к опрокидыванию, что негативно влияет на нормальное протекание технологического процесса.

Источник: Национальное управление по интеллектуальной собственности Китая